La hòstia està feta de silici pur (Si).Generalment dividida en especificacions de 6 polzades, 8 polzades i 12 polzades, l'hòstia es produeix a partir d'aquesta hòstia.Les hòsties de silici preparades a partir de semiconductors d'alta puresa mitjançant processos com ara l'extracció i el tall de cristalls s'anomenen hòsties perquèutilitzar-los són de forma rodona.Es poden processar diverses estructures d'elements de circuit a les hòsties de silici per convertir-se en productes amb propietats elèctriques específiques.productes de circuit integrat funcional.Les hòsties passen per una sèrie de processos de fabricació de semiconductors per formar estructures de circuits extremadament petites, i després es tallen, s'envasen i es posen a prova en xips, que s'utilitzen àmpliament en diversos dispositius electrònics.Els materials hòsties han experimentat més de 60 anys d'evolució tecnològica i desenvolupament industrial, formant una situació industrial dominada pel silici i complementada per nous materials semiconductors.
El 80% dels telèfons mòbils i ordinadors del món es produeixen a la Xina.La Xina depèn de les importacions per al 95% dels seus xips d'alt rendiment, de manera que la Xina gasta 220.000 milions de dòlars EUA cada any per importar xips, que és el doble de les importacions anuals de petroli de la Xina.També estan bloquejats tots els equips i materials relacionats amb les màquines de fotolitografia i la producció d'encenalls, com ara hòsties, metalls d'alta puresa, màquines de gravat, etc.
Avui parlarem breument del principi d'esborrat de llum UV de les màquines d'hòsties.Quan escriu dades, cal injectar càrrega a la porta flotant aplicant un VPP d'alta tensió a la porta, tal com es mostra a la figura següent.Com que la càrrega injectada no té l'energia per penetrar a la paret d'energia de la pel·lícula d'òxid de silici, només pot mantenir l'estat quo, per la qual cosa hem de donar a la càrrega una certa quantitat d'energia!És quan es necessita llum ultraviolada.
Quan la porta flotant rep irradiació ultraviolada, els electrons de la porta flotant reben l'energia dels quants de llum ultraviolada i els electrons es converteixen en electrons calents amb energia per penetrar la paret d'energia de la pel·lícula d'òxid de silici.Com es mostra a la figura, els electrons calents penetren a la pel·lícula d'òxid de silici, flueixen cap al substrat i la porta i tornen a l'estat esborrat.L'operació d'esborrat només es pot realitzar rebent irradiació ultraviolada i no es pot esborrar electrònicament.En altres paraules, el nombre de bits només es pot canviar d'"1" a "0" i en sentit contrari.No hi ha altra manera que esborrar tot el contingut del xip.
Sabem que l'energia de la llum és inversament proporcional a la longitud d'ona de la llum.Perquè els electrons es converteixin en electrons calents i així tinguin l'energia per penetrar a la pel·lícula d'òxid, és molt necessària la irradiació de llum amb una longitud d'ona més curta, és a dir, raigs ultraviolats.Com que el temps d'esborrat depèn del nombre de fotons, el temps d'esborrat no es pot escurçar fins i tot a longituds d'ona més curtes.En general, l'esborrat comença quan la longitud d'ona és d'uns 4000A (400nm).Bàsicament arriba a la saturació al voltant dels 3000A.Per sota de 3000A, fins i tot si la longitud d'ona és més curta, no tindrà cap impacte en el temps d'esborrat.
L'estàndard per a l'esborrat UV és generalment acceptar raigs ultraviolats amb una longitud d'ona precisa de 253,7 nm i una intensitat de ≥16000 μ W / cm².L'operació d'esborrat es pot completar amb un temps d'exposició que oscil·la entre 30 minuts i 3 hores.
Hora de publicació: 22-12-2023